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PSMN1R0-30YLDX (SMT业务专用)

N沟道耐压:30V 电流:100A SMT业务专用

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品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN1R0-30YLDX (SMT业务专用)
商品编号: C389352
商品封装: LFPAK-56-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功率(Pd)	238W
	导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	1.02mΩ@10V,25A
	阈值电压(Vgs(th)@Id)	2.2V@2mA

商品概述

采用LFPAK56封装的300A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品系列，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率、低尖峰性能，且不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

300A电流能力
雪崩额定值,在I(as) = 190A时进行100%测试
超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关;s因子 > 1
低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时漏电流 < 1μA,具备类肖特基性能
针对4.5V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
采用高可靠性夹片键合和焊料芯片连接的Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下使用
可进行波峰焊接;外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查

应用领域

服务器和电信设备的板载DC-DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块(VRM)
负载点(POL)模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供电
有刷和无刷电机控制
电源“或”功能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	100A