- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMDPB55XPAX
双P沟道增强型场效应晶体管，采用Trench MOSFET技术，小尺寸无引脚超薄SMD塑料封装
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB55XPAX
- 商品编号
- C34385742
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),封装于小型无引脚超薄 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽 MOSFET 技术
- 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 直流到直流转换
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路