温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDPF15N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF15N65
- 商品编号
- C386784
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.095nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品特性
- 4.5V驱动
- 低导通电阻：漏源导通电阻RDS(ON) = 42 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = 4.5 V）
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 28 mΩ（最大值）（@栅源电压VGS = 10 V）
应用领域
- 电源管理开关应用
- 高速开关应用