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IPD088N06N3 G
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- N沟道 60V 50A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD088N06N3 G
- 商品编号
- C386370
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.8mΩ@10V,50A | |
| 功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@34uA |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
应用领域
- 信号处理-驱动器-逻辑电平转换器-商用/工业级-信号处理-驱动级-逻辑电平转换器-标准版本