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ME85P03-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ME85P03-VB商品编号
C3040296商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,80A |
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