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8205A SOT23-6-VB
双N沟道MOSFET,电流:6.0A,耐压:20V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款是双N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高效功率管理和电路控制的领域，尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。SOT23-6；2个N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 8205A SOT23-6-VB
- 商品编号
- C3040279
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 负载开关