AP4563GH-VB
双通道N沟道和P沟道,电流:50A,耐压:40V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4;N+P—Channel沟道,±40V;±50A;RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP4563GH-VB商品编号
C3040201商品封装
TO-252-4包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,38A | |
耗散功率(Pd) | 108W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.248nF@20V | |
反向传输电容(Crss) | 136pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥2.45
10+¥2.4
30+¥2.37
100+¥2.33¥5825
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
6
江苏仓
5
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交0单
精选推荐
- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起