AO6801-VB
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双通道P型MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性,适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6;2个P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO6801-VB商品编号
C3040207商品封装
TSOP-6-1.5mm包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@4.5V,4A |
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