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LNB8308HSDT0AG-HW
N沟道,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LNB8308HSDT0AG-HW
- 商品编号
- C3040131
- 商品封装
- DFN-8A(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.058nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 675pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
应用领域
- 功率路由
- DC/DC 转换
- 电机驱动