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SSM6N15AFE,LM
N沟道硅MOS型场效应晶体管，2.5V驱动，低导通电阻
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- 描述
- 特性：2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω (max) (VGS = 4.0V)；RDS(ON) = 6.0Ω (max) (VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N15AFE,LM
- 商品编号
- C3034752
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品概述
HXY2310AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 2.5 V驱动
- N沟道二合一
- 低导通电阻:RDS(ON) = 3.6 Ω(最大值)(@VGS = 4.0 V)
- R D S (ON) = 6.0 Ω(最大值)(@V GS = 2.5 V)
- 重量:3.0 mg(典型值)
应用领域
- 负载开关应用