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JMTL2301C
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：低导通电阻：VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 70mΩ；VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 100mΩ。 先进的沟槽技术。 优秀的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL2301C
- 商品编号
- C3031549
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 503pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款先进的高压MOSFET旨在能够在雪崩模式下承受高能量，并实现高效开关。这款新型高能量器件还具备漏源二极管快速恢复时间。专为高压、高速开关应用而设计，如电源、转换器、动力电机控制和桥接电路。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(on)
- 全面表征雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量EAS，具备良好的稳定性和一致性
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 出色的封装，具备良好的散热性能
应用领域
- 硬开关和高频电路-不间断电源
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