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JMTP3008A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JMTP3008A

耐压:30V 电流:15A

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描述
N沟道增强型功率MOSFET,适用于负载开关、PWM应用和电源管理。
品牌名称
JJW(捷捷微)
商品型号
JMTP3008A
商品编号
C3031550
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)13.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.116nF
反向传输电容(Crss)152pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

DMZ0615E/DMX0615E/DMZ0622E/DMX0622E/DMX1015E——新型耗尽型MOSFET系列采用专有专利的超高阈值电压技术设计。DMZ0622E是一款宽范围电压(最高70V)稳压器。其输入电压最高可达70V,还能根据不同工作条件提供约11V至23V的稳定输出电压。它非常适合具有可变充电电压输出(5 - 20V)的快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器应用。 利用亚阈值特性,耗尽型MOSFET DMZ0622E可为负载提供稳定电源,且无需齐纳二极管即可钳位负载电压以保护负载。 DMZ0622E可承受最高70V的宽电压输入,并能为负载提供合适的电压。这些特性适用于快速充电(QC4.0)/Type C PD充电器应用,其PWM控制IC需要稳定的电压供电。

商品特性

  • 30V、15A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 8 mΩ
  • 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 14 mΩ
  • 先进的沟槽技术
  • 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 获得无铅产品认证

应用领域

-负载开关-PWM应用-电源管理

数据手册PDF