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FDN5618P
耐压:60V 电流:1.6A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDN5618P
- 商品编号
- C3021110
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STD35NF06L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 漏源电压VDS(V) = 60 V
- 漏极电流ID = 35 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 获得无铅产品认证