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FDC655BN
耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 特性：Vds = 30V。 Id = 6A。 RDS(ON) < 23mΩ，VGS@10V。 RDS(ON) < 32mΩ，VGS@4.5V。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDC655BN
- 商品编号
- C3021102
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 5A、690V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值为2.2Ω
- 低栅极电荷（典型值13nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正