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CX4884
双N沟道,电流:30A,耐压:40V
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- 品牌名称
- CXW(诚芯微)
- 商品型号
- CX4884
- 商品编号
- C3020365
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CX010N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 95V
- 导通电阻（RDS(ON)） = 6.1 mΩ（栅源电压（VGS） = 10V时）
- 低导通电阻（RDS(on)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复特性
应用领域
- PD充电器-开关稳压器-DC-DC转换器-开关模式电源
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