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ACNW3190-500E

5.0A 高输出电流 IGBT 栅极驱动光耦

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描述: 包含一个 AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/200 A、600 V/300 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。在 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 中具有最高 1414 Vpeak 的绝缘电压 VIORM。
品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: ACNW3190-500E
商品编号: C3019221
商品封装: SMD-8-400mil
包装方式: 编带
商品毛重: 1.22克(g)

商品参数

商品概述

ACNW3190包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A、600V/300A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，ACNW3190可用于驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT的栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2标准中，ACNW3190的最高绝缘电压为V₁₀RM = 1414V峰值。

商品特性

最大峰值输出电流5.0A
在VCₘ = 1500V时，最小共模抑制比（CMR）为15kV/μs
最大低电平输出电压（VOL）为0.5V，无需负栅极驱动
最大电源电流ICC = 5mA
带迟滞功能的欠压锁定保护（UVLO）
宽VCC工作范围：15至30V
最大开关速度500ns
工业温度范围：-40℃至100℃
安全认证：UL认证，1分钟5000Vrms，CSA认证，符合IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 2标准，VIORM = 1414V峰值

应用领域

IGBT/MOSFET栅极驱动
交流/无刷直流电机驱动器
工业逆变器
开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动光耦
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	CMTI(kV/us)	15kV/us
	驱动侧工作电压	15V~30V
	峰值输出电流	5A
	传播延迟 tpHL	500ns
	传播延迟 tpLH	500ns

	属性	参数值
	隔离电压(Vrms)	5kV
	耗散功率(Pd)	850mW
	工作温度	-40℃~+100℃
	正向压降(Vf)	1.6V
	直流反向耐压(Vr)	5V
	下降时间(tf)	100ns
	上升时间(tr)	100ns