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NCE30P60G实物图
  • NCE30P60G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30P60G

P沟道,电流:60A,耐压:30V

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商品型号
NCE30P60G
商品编号
C3015550
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))2.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)138nC@10V
输入电容(Ciss)4.58nF
反向传输电容(Crss)564pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)755pF

商品概述

NCE30P60G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -60A
  • RDS(ON) < 6 m Ω(VGS = -10 V 时)
  • RDS(ON) < 8 m Ω(VGS = -4.5 V 时)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下稳定性和一致性良好
  • 散热性能出色的优良封装
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术

应用领域

  • 电池与负载开关

数据手册PDF