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场效应管(MOSFET)
MW6S004NT1
引脚图
此图展示了型号为 MW6S004NT1 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 MW6S004NT1 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
MW6S004NT1
N沟道 耐压:68V
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
MW6S004NT1
商品编号
C3018888
商品封装
PLD-1.5
包装方式
编带
商品毛重
0.34克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
68V
耗散功率(Pd)
4W
阈值电压(Vgs(th))
2.7V@50mA
属性
参数值
输入电容(Ciss)
30pF
反向传输电容(Crss)
21pF
类型
N沟道
输出电容(Coss)
25pF
交货周期
订货5-7个工作日
购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
个
起订量:1 个
1个/圆盘
总价金额:
¥
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