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BL2305G
1个P沟道 耐压:12V 电流:4.2A
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- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BL2305G
- 商品编号
- C380920
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
AO3414A采用先进的沟槽技术，可提供优异的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 无铅
- 可靠耐用
- 静电敏感器件
- 湿度敏感等级 1 级
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统