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NVMFWS1D5N08XT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFWS1D5N08XT1G

N沟道单功率MOSFET,低QRR、Qg和电容,适用于同步整流、电机驱动等

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS1D5N08XT1G
商品编号
C33535008
商品封装
DFNW5​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1.43mΩ@10V
耗散功率(Pd)194W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)83nC
属性参数值
输入电容(Ciss)5.88nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.69nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低反向恢复电荷(QRR),软恢复体二极管
  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 通过AEC认证,具备PPAP能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流和交流-直流中的同步整流(SR)
  • 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
  • 电机驱动
  • 汽车48V系统

数据手册PDF