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TDM31056实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TDM31056

1个N沟道 耐压:100V 电流:43A

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描述
类型 N 漏源电压(Vdss) 100 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 8.78 导通电阻(mΩ) 13.5 输入电容(Ciss) 1440 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 28
品牌名称
Techcode(泰德)
商品型号
TDM31056
商品编号
C380242
商品封装
DFN-8(5.7x5.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)43A
导通电阻(RDS(on))18.2mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)52W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)1.88nF
反向传输电容(Crss)30pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

TDM31056采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 18.2mΩ
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13.5mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 提供无铅产品
  • DFN5X6-8封装

应用领域

  • PWM应用-负载开关-电源管理-硬开关和高频电路

数据手册PDF