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SI1013CX-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.45A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 典型ESD保护：1000V（HBM）。 快速开关速度。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：便携式设备的负载/电源开关。 驱动器：继电器、螺线管、显示器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1013CX-T1-GE3
- 商品编号
- C3013852
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 190mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
AP10G006N融合了先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 10 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 40 mΩ
- VDS = -60V，ID = 9.5A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 70 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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