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TDM3307C
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 描述
- 类型 P 漏源电压(Vdss) -30 阈值电压(Vgs) 25 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 10.5 输入电容(Ciss) 2590 反向传输电容Crss(pF) 360 栅极电荷(Qg) 65
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3307C
- 商品编号
- C3008529
- 商品封装
- PPAK-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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