温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR4501N
1个N沟道 耐压:18V 电流:3.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(on)，典型值 = 80 mΩ，VGS = 4.5 V。 RDS(on)，典型值 = 90 mΩ，VGS = 2.5 V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。应用：电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- NTR4501N
- 商品编号
- C2999143
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(导通)典型值为80 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(导通)典型值为90 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(导通)
- 可靠耐用
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
相似推荐
其他推荐