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2N7002KTB-R1-00001
N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，IDS@500mA = 3Ω。RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@200mA = 4Ω。先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。关断状态下漏电流极低。ESD保护2KV HBM。符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU & 2015/865/EU指令）的无铅产品。符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002KTB-R1-00001
- 商品编号
- C2999087
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 当VGS为10 V、IDS为500 mA时,RDS(ON) = 3 Ω
- 当VGS为4.5 V、IDS为200 mA时,RDS(ON) = 4 Ω
- 先进沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电(ESD)保护达2 kV人体模型(HBM)
- 符合欧盟RoHS2.0(2011/65/EU和2015/865/EU指令)的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
应用领域
- 工业DC/DC转换器的电源管理
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