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2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 湿敏等级1级。应用：N沟道增强型场效应晶体管。 开关应用
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C375010
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0346克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 用于低导通电阻（RDS(ON)）的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 湿度敏感度等级1（MSL 1）
应用领域
- N沟道增强型效应晶体管
- 开关应用