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BL2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 45 mΩ @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) ≤ 59 mΩ @ VGS = 2.5 V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 静电敏感器件。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BL2302
- 商品编号
- C375017
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 45mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) ≤ 59mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 静电敏感器件
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-DC/DC转换器
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