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DMN67D7L-7
1个N沟道 耐压:60V 电流:210mA
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN67D7L-7
- 商品编号
- C2997664
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 570mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 821pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
商品特性
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 100%进行了∇VDS测试
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-背光源