- 引脚图
- 焊盘图
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IGD03N120S7ATMA1
1.2kV 10A
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压：VCEsat = 2 V（Taj = 150℃时）。 短路耐受时间：8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGD03N120S7ATMA1
- 商品编号
- C32920109
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 9A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@3A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.06mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 500pF | |
| 输出电容(Coes) | 18pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 2pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 89ns | |
| 导通损耗(Eon) | 210uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- VCE = 1200 V
- IC = 3 A
- 低饱和电压，在Taj = 150°C时，VCEsat = 2 V
- 短路耐受时间 8 μs
- 宽范围的dv/dt可控性
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 工业驱动