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NP4834D6
双通道N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- NP4834D6采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的高端开关及通用应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP4834D6
- 商品编号
- C2991159
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.021nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 166pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 60V、300mA，VGS = 10V时RDS(ON) = 2.2Ω
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 具备2KV人体模型（HBM）静电放电能力
应用领域
- 笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器
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