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IRF1310NPBF

1个N沟道耐压:100V 电流:42A

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描述: N 沟道
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRF1310NPBF
商品编号: C371548
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.92克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用场景。 TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

商品特性

先进的工艺技术
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速开关
全雪崩额定
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	42A
	导通电阻(RDS(on))	36mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	160W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.9nF
	反向传输电容(Crss)	230pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	450pF