SLF7N65SV
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF7N65SV
- 商品编号
- C2987088
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.08pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86.8pF |
商品概述
HSS06P03 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。 HSS06P03 符合 RoHS 和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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