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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SLM2181CA-DG

600V高端和低端驱动器

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描述
600V半桥,不互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:180/200 ns, DT:NA; MT:35ns
商品型号
SLM2181CA-DG
商品编号
C2986826
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
拉电流(IOH)-
工作电压10V~20V
上升时间(tr)45ns
属性参数值
下降时间(tf)17ns
传播延迟 tpLH150ns
传播延迟 tpHL220ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)220uA

商品概述

SLM2181是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,最高可承受600V电压。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,最高可在+600V下完全工作
  • 低VCC工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10V至20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3V和5V逻辑兼容
  • 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
  • 双通道传播延迟匹配
  • 输出与输入同相
  • 符合RoHS标准的SOP - 8封装

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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