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HYG080NH03LR1C1
双N沟道增强型MOSFET,电流:31A,耐压:30V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG080NH03LR1C1
- 商品编号
- C2986720
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 966pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
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