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GD5F1GQ4UFYIGR
GD5F1GQ4UFYIGR
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- 描述
- 闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb（128M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-WSON（6x8）
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD5F1GQ4UFYIGR
- 商品编号
- C2986324
- 商品封装
- WSON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 120MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 90uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能 |
- GD25Q64CSJGR
- GD25Q32ETIGR
- GD25LT256EBIRY
- GD25Q16EEIGR
- TLV3603DCKT
- TGG.1K.P03.CLAC60H
- TGG.0K.P02.CLAC50H
- TGG.2K.P12.CLAC82H
- TGG.2K.P02.CLAC50
- TGG.2K.P02.CLAC70H
- ZGG.2K.P02.CLL
- ZGG.0K.P02.CLN
- ZGG.3K.P12.CLL
- ZGG.2K.P12.CLN
- ZGG.0K.P02.CLL
- ZGG.1K.P02.CLN
- ZEG.1K.P02.CLL
- ZEG.2K.P02.CLL
- ZEG.2K.P12.CLN
- ZEG.3K.P12.CLN
- ZGG.3K.P12.CLN