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GD25LT256EBIRY引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GD25LT256EBIRY

GD25LT256EBIRY

商品型号
GD25LT256EBIRY
商品编号
C2986329
商品封装
TBGA-24​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)200MHz
工作电压1.65V~2V
待机电流20uA
属性参数值
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)300us
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位

商品概述

GD25LT256E 是一款 256M 位串行闪存,采用 3.3V 单电源供电,支持标准 SPI、Quad SPI、QPI 和 DTR 模式。它提供高达 200MHz 的快速读取时钟频率,在 Quad I/O 和 QPI 模式下数据传输速率可达 664Mbps,在 DTR Quad I/O 模式下可达 200MB/s。该器件支持 3 字节或 4 字节地址模式,每页可编程 256 字节。它集成了 ECC 功能以增强数据完整性,并提供数据选通功能以简化高速系统设计。此外,它还支持深度掉电模式以降低功耗,并提供多种安全功能,包括安全寄存器、块/扇区锁定以及 ID 读取。

商品特性

  • 256M 位串行闪存,32M 字节,每页可编程 256 字节
  • 支持标准 SPI、Quad SPI、DTR、QPI 接口
  • 高速时钟频率:快速读取达 200MHz
  • Quad I/O 数据传输速率高达 664Mbps
  • QPI 模式数据传输速率高达 664Mbps
  • DTR Quad I/O 数据传输速率高达 200MB/s(带 DQS)
  • 支持 3 字节或 4 字节地址模式
  • 集成 ECC 功能
  • 提供数据选通功能
  • 支持深度掉电模式
  • 提供安全寄存器、块/扇区锁定、 ID 等安全功能

数据手册PDF