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IMT40R011M2HXTMA1实物图
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IMT40R011M2HXTMA1

400V CoolSiC MG2 MOSFET

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描述
特性:适用于高频开关和同步整流。换向能力强的快速体二极管,Qfr 低。RDS(on) 对温度的依赖性低。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压为 0V 至 18V。.XT 互连技术,具备一流的热性能。应用:开关电源。太阳能光伏逆变器
商品型号
IMT40R011M2HXTMA1
商品编号
C32609547
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.78克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)144A
耗散功率(Pd)429W
阈值电压(Vgs(th))5.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC
输入电容(Ciss)2.9nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)410pF
导通电阻(RDS(on))11.3mΩ

数据手册PDF