HYG053N10NS1C2
N沟道增强型MOSFET,电流:95A,耐压:100V
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- 品牌名称HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG053N10NS1C2商品编号
C2986239商品封装
PDFN-8(5x5.8)包装方式
编带
商品毛重
0.217克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 95A | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,20A | |
耗散功率(Pd) | 83.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.744nF@0V | |
反向传输电容(Crss) | 153pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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