SD12CT1G
双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流:18A
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- 描述
- SD12CT1G 旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻,采用单片硅技术,可实现快速响应时间和超低 ESD 钳位电压,使该器件成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD12CT1G 符合 IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受 ±15 kV 空气放电和 ±8 kV 接触放电。SD12CT1G 采用无铅 SOD - 323 封装,可保护一条单向线路。这些器件与 0805 MLV 器件占用相同的 PCB 焊盘面积。
- 品牌名称
- DOWO(东沃)
- 商品型号
- SD12CT1G
- 商品编号
- C2985489
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 18A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 400W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 13V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | ESD |
商品概述
SD12CT1G 旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理)中的多层压敏电阻,采用单片硅技术,可实现快速响应时间和超低 ESD 钳位电压,使该器件成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD12CT1G 符合 IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,可承受 ±15 kV 空气放电和 ±8 kV 接触放电。SD12CT1G 采用无铅 SOD - 323 封装,可保护一条单向线路。这些器件与 0805 MLV 器件占用相同的 PCB 焊盘面积。
商品特性
- 400W 峰值脉冲功率(8/20μs)
- 保护一条数据或电源线
- 超低泄漏:纳安级
- 工作电压:12V
- 超低钳位电压
- 符合以下标准:
- IEC 61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30 kV 接触放电:±30 kV
- IEC61000 - 4 - 4(雷击)18A(8/20ns)
- 符合 RoHS 标准
- 封装:SOD - 323
- 引脚镀层:亚光锡
应用领域
- 手机及配件
- 个人数字助理
- 笔记本电脑和手持设备
- 便携式仪器
- 外设
- 寻呼机外设
- 台式机和服务器
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