温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY1001D
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:70V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：70V/70A，RDS(ON) = 7.4mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1001D
- 商品编号
- C2983279
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。此器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）=30 V，漏极电流（ID）=20 A
- 在栅源电压（VGS）=10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）<25 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
相似推荐
其他推荐