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ISZ173N15NM6ATMA1
N沟道 150V 48A
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- 描述
- 特性：N- 通道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤。 根据 C-STD-020 分类为 MSL 1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ173N15NM6ATMA1
- 商品编号
- C32450212
- 商品封装
- PG-TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
优惠活动
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起订量：1 个5000个/圆盘
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