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HYG006N04LS1TA
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:600A
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- 描述
- 特性：40V/600A，RDS(ON)=0.45mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON)=0.61mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG006N04LS1TA
- 商品编号
- C2982928
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.2nF |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此制成的器件具有极低的导通电阻，特别适用于要求高功率密度和卓越效率的应用。
商品特性
- 40V/600A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.45 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.61 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关应用-逆变器系统电源管理-电池管理
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