- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD25Q256EBIRY
兆易创新均匀扇区双路和四路串行闪存
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- 描述
- GD25Q256E（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速率为266Mbit/s，四I/O数据传输速率为532Mbit/s。
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD25Q256EBIRY
- 商品编号
- C2982798
- 商品封装
- TFBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152479克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 16uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
- 40PC100G2A
- 26PCFFA6G
- LBTN180Y3T1G
- AC0603JRNPO0BN221
- SD103B-TR
- C1608X7R0J225M080AB
- CL31B222KHFNFNE
- MPP474J2G10NN22610
- KNM2220UF10V149EC0050
- KNE2220UF16V149EC0053
- KNM2100UF35V149EC0055
- BC807-25
- BC807-40
- BC817-25
- BC817-40
- CBB21-250V/685JP27.5
- CBB62-450V/474JP20
- MKP25-520V/105KP15
- MKP25-520V/225KP27.5
- MKP25-450V/475KP27.5
- UPD720210K8-BAF-A