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CI15N60
N沟道,电流:15A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- CI15N60
- 商品编号
- C2978905
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 131W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
硅N沟道增强型MOSFET采用先进的MOSFET技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)