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DMN2004WKQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理系统、DC-DC转换器、车身控制电子系统。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004WKQ-7
- 商品编号
- C2978910
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
MP70N10是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 70 A，栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 21 mΩ
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
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