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SIRA20DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比，降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA20DP-T1-RE3
- 商品编号
- C2978665
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.36nF |
商品特性
- 低导通电阻：RDS(ON)
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）保护2KV人体模型（HBM）