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HYG400P10LR1B
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：100V，-40A。 RDS(ON)=42mΩ（典型值）@VGS=-10V。 RDS(ON)=48mΩ（典型值）@VGS=-4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG400P10LR1B
- 商品编号
- C2977787
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.402nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -100V/-40A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻RDS(ON) = 42 mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) = 48 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 性能可靠且耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-便携式设备和电池供电系统-直流-直流转换器-电机控制