NCE6003XM

TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

• 先进的高单元密度沟槽技术
• 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可将传导损耗降至最低
• 低栅极电荷，实现快速开关
• 低热阻

• MB/VGA内核电压
• 开关电源二次侧同步整流
• 负载点应用
• 无刷直流电机驱动