NCE6003XM

TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

• VDS = 60V,ID = 3A
• 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 78 m Ω
• 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 96 m Ω
• 高功率和电流处理能力
• 符合无铅产品要求
• 表面贴装封装

• 电池开关
• DC/DC转换器