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LNP4606T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LNP4606T1G

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A

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描述
特性:低导通电阻(RDS(on)),可提供更高效率并延长电池寿命。 低热阻。 快速开关速度。 高性能沟槽技术。 产品材料无卤,符合RoHS要求。应用:电源路由。 DC/DC转换
商品型号
LNP4606T1G
商品编号
C2976619
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.178克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
耗散功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18.7nC@10V
输入电容(Ciss)664pF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)90pF

数据手册PDF

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