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UCC27444QDGNRQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27444QDGNRQ1

双通道低侧栅极驱动器,具备5V输入能力

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27444QDGNRQ1
商品编号
C32050216
商品封装
VSSOP-8​
包装方式
袋装
商品毛重
1.466667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)11ns
属性参数值
下降时间(tf)7ns
传播延迟 tpLH18ns
传播延迟 tpHL30ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.6V~2.5V
输入低电平(VIL)800mV~1.5V
静态电流(Iq)150uA
功能特性使能关断

商品概述

UCC27444-Q1是一款双通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动MOSFET和GaN功率开关。UCC27444-Q1的典型峰值驱动强度为4 A,可缩短功率开关的上升和下降时间,降低开关损耗,提高效率。该器件的典型传播延迟为18 ns,通过优化死区时间、提高脉宽利用率、改善控制环路响应和系统瞬态性能,可获得更高的功率级效率。UCC27444-Q1的INx输入可承受-5 V电压,可提高存在中等程度地弹的系统的鲁棒性。输入可连接至大多数控制器输出,实现最大控制灵活性。独立使能信号允许功率级独立于主控制逻辑进行控制。发生系统故障时,可通过拉低使能快速关断栅极驱动器。许多高频开关电源在功率器件栅极存在噪声,这些噪声会注入栅极驱动器的输出引脚,导致驱动器故障。该器件的瞬态反向电流和反向电压能力使其能够承受功率器件栅极或脉冲变压器上的噪声,避免驱动器故障。UCC27444-Q1还具有低压工作和上电复位(POR)特性,可提高系统鲁棒性。当偏置电压不足以完全开通功率器件时,内部强下拉MOSFET会将栅极驱动器输出保持在低电平。

商品特性

  • 符合汽车应用要求
  • AEC-Q100认证
  • 器件温度等级1:环境工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃
  • 器件HBM ESD分类等级H2
  • 器件CDM ESD分类等级C6
  • 每个通道典型4-A峰值源极和漏极驱动电流
  • INA和INB输入引脚可承受-5 V电压
  • VDD最大电压20 V
  • VDD宽工作范围为4.5 V 至 18 V
  • 两个独立栅极驱动通道
  • 每个输出带有独立使能功能
  • 传播延迟快(典型值18 ns)
  • 上升和下降时间快(典型值11 ns和7 ns)
  • 两个通道之间典型延迟匹配为1 ns
  • 提供SOIC8和VSSOP8 PowerPAD™封装选项
  • 工作结温范围为 -40℃ 至 125℃

应用领域

  • 开关电源(SMPS)
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • DC/DC转换器
  • 交流逆变器和VF驱动器
  • 微型逆变器
  • 直流快速充电站